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本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。
运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 a.s.t.m 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。
仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。
仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。
测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到excel中，让用户对数据进行各种数据分析
测量范围
 电阻率：10-4～105 ω.cm(可扩展)；  
 方块电阻：10-3～106 ω/□(可扩展)； 
 电导率：10-5～104 s/cm； 
 电阻：10-4～105 ω；
可测晶片直径
 140mmx150mm(配s-2a型测试台)；
 200mmx200mm(配s-2b型测试台)；
 400mmx500mm(配s-2c型测试台)；
恒流源
 电流量程分为1μa、10μa、100μa、1ma、10ma、100ma六档，各档电流连续可调
数字电压表
 量程及表示形式：000.00～199.99mv；　　　　
 分辨力：10μv；
 输入阻抗：>1000mω；
 精度：±0.1% ；
 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；
四探针探头基本指标
 间距：1±0.01mm；
 针间绝缘电阻：≥1000mω； 
 机械游移率：≤0.3%；
 探针：碳化钨或高速钢ф0.5mm；
 探针压力：5～16 牛顿(总力)；
四探针探头应用参数
 (见探头附带的合格证)
模拟电阻测量相对误差
( 按jjg508-87进行)
 0.01ω、0.1ω、1ω、10ω、100ω、1000ω、10000ω≤0.3%±1字
整机测量最大相对误差
(用硅标样片：0.01-180ω.cm测试)≤±5%
整机测量标准不确定度
 ≤5%
计算机通讯接口
 并口
标准使用环境
 温度：23±2℃；
 相对湿度：≤65%；
 无高频干扰；
 无强光直射；
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